با در نظر گرفتن نظریه اسپین- فرمیون که از مکانیزم افت و خیز اسپینی برای توجیه جفت شدگی در ابررساناهای دمای بالا استفاده می کند، پذیرفتاری اسپینی یا همان عملگر قطبش را برای مسین های حفره دار و الکترون دار محاسبه نمودیم. در حالتی که گاف انرزی را ثابت در نظر بگیریم بخشی از محاسبات را به طور تحلیلی انجام داده ایم. در مورد گاف وابسته به تکانه ابتدا در دمای صفر رفتار عملگر قطبش برحسب فرکانس را نمایش ...

با در نظر گرفتن نظریه اسپین- فرمیون که از مکانیزم افت و خیز اسپینی برای توجیه جفت شدگی در ابررساناهای دمای بالا استفاده می کند، پذیرفتاری اسپینی یا همان عملگر قطبش را برای مسین های حفره دار و الکترون دار محاسبه نمودیم. در حالتی که گاف انرزی را ثابت در نظر بگیریم بخشی از محاسبات را به طور تحلیلی انجام داده ایم. در مورد گاف وابسته به تکانه ابتدا در دمای صفر رفتار عملگر قطبش برحسب فرکانس را نمایش ...

رفتار خوردگی خستگی قطعه ای ازبال هواپیما از جنس آلیاژ 73t- 7075 آلومینیوم که به مدت طولانی در شرایط سرویس بوده با ایجاد پیش خوردگی(حفره دار کردن) روی نمونه ها و متعاقب آن اعمال بارهای محوری خستگی با دامنه ثابت مورد بررسی قرار گرفت. همچنین برای اهداف مقایسه ای در راستای این بررسی، قطعه ای از بدنه هواپیما از جنس آلیاژ7075-t6انتخاب شد که این نوع آلیاژ نیز عمر سرویس مشابه با آلیاژ قبلی داشت منتها ح...

در این مقاله، سیستم مورد بررسی ریز دانه های مکعبی ابررسانای مسین حفره دار در حوالی مناطق قطری می باشد. از آنجایی که مدل های مهم در ابررسانایی دمای بالا، شامل تبادل افت و خیز اسپینی می باشند، در اینجا می خواهیم یکی از آنها را که به مدل اسپین-فرمیون مشهور است، به کار بریم. تحت چارچوب این مدل، قطبش کل ( بدون در نظر گرفتن خود-انرژی)را با استفاده از معادلات استاندارد الیشبرگ و تصحیح مرتبه اول قطبش ر...

نانوحسگرهای رطوبت بر اساس نانو حفره های آلومینا به روش جدید آندیزاسیون سخت مطالعه شد. برای بررسی اثر میزان آنیون های اسیدی موجود در قسمت های مختلف آلومینا بر حساسیت نانوحسگر، دو نوع حسگر دیواره و لایه سدی در دو چگالی جریان متفاوت با ولتاژهای آندیزاسیون 38 و 44 ولت ساخته شد. اثر فرکانس در بازه 3 تا 40 کیلوهرتز در ولتاژهای مختلف و در دامنه های رطوبت نسبی 40 تا 90 درصد بر حساسیت و زمان های پاسخ و ...

چکیده: آنچه امروز بشر را به سوی ساخت و بررسی های نانوسیم های مغناطیسی سوق داده است ، اهمیت روز افزون این نانوساختارها و کاربردهای متنوع آنها در ساخت حافظه ها مغناطیسی و حسگرها می باشد. در این میان نانوسیم های کبالت به دلیل ناهمسانگردی شکلی و ناهمسانگردی مغناطوبلوری بالایی که دارند بیشتر مورد توجه قرار گرفته اند. لذا در این پژوهش ساخت نانوسیم های مغناطیسی کبالت را در قالب آلومینای حفره دار و به...

کاربردهای فوق العاده ی نانوسیم های مغناطیسی و اهمیت و ارزش پدیده gmr در نانوسیم های متشکل از مواد مغناطیسی و غیرمغناطیسی ما را بر آن داشت تا برای تحقیق و پژوهش در این عرصه گام نهیم و سعی کنیم تا با بررسی اثر شرایط الکتروانباشت پالسی بر کاهش مقدار مغناطش در نانوسیم های آلیاژی cocu در غلظت های مختلف مس، به شرایط بهینه برای ساخت نانوسیم های چند لایه ای دست یابیم. در تحقیق و پژوهش حاضر علاوه بر تلا...

موجشکنهای حفره دار نسل جدیدتر موج شکنهای قائم هستند که در آنها مشکل انعکاس امواج و نیروهای زیاد وارد بر سازه تا حد زیادی حل شده است. در این مقاله به بررسی اثر شکل حفره‌های موجشکن حفره دار قائم بر مقدار ضریب انعکاس تحت اثر امواج تنهای برخوردی به روش عددی پرداخته شده است. موجشکن قائم مورد بررسی دارای صفحه ی تک و دوبل با چهار شکل حفره و چهار مقدار درصد بازشدگی مختلف صفحه ی روبرویی است. شبیه‌سازی ا...

با توجه به اهمیت و کاربردهای ویژه نانوسیم های آلیاژی مغناطیس-غیرمغناطیس در افزایش ذخیره ی اطلاعات حافظه های مغناطیسی عمودی و هم چنین در پدیده gmr، اقدام به ساخت آرایه نانوسیم های مغناطیسی cozn در قالب حفره دار آلومینا کردیم. در این روش، ابتدا نانوحفره های منظم با آرایش شش گوشی با قطر 30 نانومتر و فاصله بین حفره ای 100 نانومتر، با روش آندایز دومرحله ای ساخته شدند. سپس نانوسیم های cozn به روش الک...

با توجه به قابلیت کاربرد نانوسیم ها در محیط های ثبت مغناطیسی چگالی بالا و gmr و با توجه اینکه اضافه کردن یک ماده غیر مغناطیسی به ماده مغناطیسی می تواند روش خوبی در کاهش برهمکنش های مغناطواستاتیک باشد تصمیم به ساخت نانوسیم های fezn گرفتیم. ساخت نانوسیم ها در دو مرحله انجام شد. در مرحله اول قالب آلومینا توسط آندیزاسیون دو مرحله ای ساخته شد و سپس یون های fe و zn با روش الکترونهشت پالسی ac در نانو...